Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Performance limit of Tri-Gate (TG) and Double Gate (DG) SOI FinFETs have been compared in terms of ballistic current which is calculated using a modified model shown for conventional MOSFET. Such a simple model for calculating ballistic current in nanoscale multigate MOSFETs is yet to be reported. Comparison of the ballistic current for different Si fin thicknesses reveals that for decreasing fin...
Performance limit of tri-gate (TG) and double gate (DG) SOI FinFETs have been compared in terms of ballistic current which is calculated by using a modified model shown for conventional MOSFET. Such a simple model for calculating ballistic current in nanoscale multigate MOSFETs is yet to be reported. Comparison of the ballistic current for different Si fin thicknesses reveals that for decreasing fin...
Capacitance-voltage (C-V) characteristics of triple-gate (TG) and double gate (DG) silicon-on-insulator (SOI) FinFETs having sub 10 nm dimensions are obtained by self consistent method using coupled Schro??dinger-Poisson solver taking into account quantum mechanical effects. Though self-consistent simulation to determine current and short channel effects in these devices has been reported in recent...
The quantum definition based threshold voltage has been evaluated for triple-gate (TG) SOI FinFETs using self-consistent Schrodinger-Poisson solver. Although a new quantum definition of threshold voltage for multiple gate SOI MOSFETs has been provided in recent literature, in-depth analysis of quantization effects on threshold voltage calculation for highly scaled TG FinFETs is yet to be done. In...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.