Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Through the measurement of the magneto-conductance properties of the reverse-biased Drain-Bulk (DB) junction of a MOSFET, we found the conductance of the active channel region, nearby the DB junction, is not space homogeneous, but it shows better conductance properties towards the edges than in the middle of the channel. Such a non-homogeneous channel conductance is attributed to the asymmetrical...
In this work we present the design and fabrication of a test chip to be used for the characterization of the main electrical, mechanical and thermal properties of the structural materials involved in the development of polysilicon-based electrothermal actuators. With this combined bulk/surface micromachined chip, parameters such as Young's modulus (E), stretching or compression stresses (±σ), stress...
We introduce experimental, modeling and simulation results of the electrical performance of 28nm FETs, operated under the action of an external magnetic field B. Negative resistance and magneto-current amplification are some of the effects discussed through this research compilation done within the Microelectronics research group of the National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics.
We introduce experimental results that reveal a small static and a slowly varying-dynamic magnetic field B induces a magneto-modulation of the gate leakage current of a 65nm nMOSFET. For the case of a 100mT (mili-Tesla) static B field a variation of the 6% (1.5nA/27nA) of the gate current is observed. For a 5Hz slowly varying (±100mT) square pulsed magnetic field, the gate current dynamic variation...
We present experimental evidence that reveals steady state and transient magnetic fields modulate gate current leakage in MOS transistors and produce channel current interference. This steady- and transient-state electromagnetic interference is attributed to surface channel charge and mobility space- and time-modulation, as validated by Minimos-NT electromagnetic numerical simulations.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.