Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Continues innovation and over-scaling will keep the current SoC's scaling near the historic Moore's Law trend. 3D-TSVs and inductive coupling as well as proper partitioning will allow the opportunity to beat Moore's Law in the next technology nodes.
Different gate stack optimizations and substrate dependent strain interactions have been studied and implemented in a cost-effective 28nm VLSI ultra low power technology. Drive current improvements for NFET ID,SAT = 870µA/µm and PFET ID,SAT = 465µA/µm at IOFF = 1nA/µm and VDS = 1V can be demonstrated by using compressive and tensile contact layers on (100)/<110> substrates. Work function optimizations...
Within the semiconductor industry pure leading edge foundries serve a special mission by delivering state-of-the-art competitive logic performance with a strong focus on system-on-chip (SoC). Therefore they have to support a broad portfolio of different technology options on each node and GLOBALFOUNDRIES is an industry leader by representing this particular business model. It was formed out of AMD's...
A major challenge for the application of strain engineering to enhance the performance of electronic devices is the quantification of strain on the nanoscale. Besides other techniques (Raman spectroscopy, X‐ray diffraction) electron beam techniques allow strain analyses with a spatial resolution of a few nanometers and a reasonable strain sensitivity of 1 × 10–3 (relative to the lattice constant of...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.