Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we demonstrate an ultra-wideband MMIC Marchand balun that utilizes a two-layer benzocyclobutene (BCB) GaAs MMIC process with a total of 4 metal layers. This multi-metal technology is built upon a standard GaAs HEMT technology with full compatibility. The fabricated balun achieved an approximately 11:1 bandwidth from 2 to 22 GHz, with less than 3-degree maximum phase imbalance, and less...
In this paper a W-band oscillator using Wafer Level Packaging (WLP) technology is reported. To the best of the authors' knowledge this is the first oscillator using a stabilizing cavity resonator created through the use of WLP. By using WLP a cavity consisting of more than one substrate can be created. Since quality factor is directly proportional to volume, a cavity of larger volume will lend itself...
Uniform millimeter wave 0.1 mum InP HEMT MMICs (Ka-band, Q-band, W-band, and distributed amplifiers) on 100 mm InP substrates have been demonstrated. Moreover, high performance and high reliability have been achieved. The results indicate that the readiness of 100 mm InP HEMT technology for insertion to support military/space applications.
Scanning transmission electron micrographs were used to investigate the gate metal sinking effect in 0.15 mum GaAs PHEMT MMICs subjected to elevated temperature lifetesting. Gate metal sinking causes a decrease of the Schottky barrier height, therefore reducing the Schottky diode's forward turn-on voltage. The progressive gate metal sinking eventually leads to a drastic increase in the three-terminal...
Gate sinking effect of 0.1 mum InAlAs/InGaAs/InP HEMT MMICs (with Pt/Ti/Pt/Au gate metals) subjected to elevated temperature lifetests has been investigated. The results show that Pt sinking is the dominant degradation mechanism caused by Pt diffusing into the In0.52Al0.4As Schottky barrier layer. Pt sinking explains the observed evolutions of Schottky diodes, Ids-Gm transfer characteristics, and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.