Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A SiGe p-channel FET has been fabricated with LPCVD epitaxy and thin gate oxide at low temperatures. With a Ge content of 20% a Si/SiGe/Si quantum well with 0.15eV depth and 10nm thickness is formed in the valence band. Compared with a bulk Si p-channel transistor peak mobility is increased by about 50%. High mobility, 0.4μm gate length and 5nm gate oxide result in high saturation current of 0.22mA/μm...
The goal of this paper is to present some design rules for a high voltage, up to 1200 V, Vertical Double diffused MOS (VDMOS) transistor using a semi-resistive field plate (such as SEPOS: Semi-Insulating POlycrystalline Silicon) as a termination technique and as a passivation. The evolution of breakdown voltage versus critical parameters, such as epitaxial doping and thickness, field plate length...
A silicon bipolar technology, which uses Selective Epitaxial Growth (SEG) for the active base and collector regions is described. Key features of the SEG transistor configuration are a quasi self-aligned base/collector structure and an epitaxial base process, which has been integrated into a self-aligned double-poly emitter/base configuration. The high speed capability of the SEG transistor concept...
We demonstrate that the cryogenic (e.g., 77K=LNT) properties of SiGe-base heterojunction bipolar transistors and circuits are sufficiently advanced to warrant a serious consideration of the merits of cryogenic BiCMOS technologies for future LNT computer applications. In this paper we review the features of epitaxial SiGe-base bipolar technologies which make them particularly Suitable for LNT operation,...
A study is made of epitaxial regrowth of polysilicon in double-diffused polysilicon emitter bipolar transistors. TEM and RBS are used to assess the extent of the epitaxial regrowth, and a simple sheet resistance measurement is used to give a sensitive measure of the amount of regrowth. The temperature of the RTA used for the second diffusion is varied between 950 and 1150??C, with epitaxial regrowth...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.