Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The interface trap density of fresh TiN/TaN gated HfO2/SiO2/Si/epi-Ge pMOSFETs is measured using the DCIV technique. Its temperature dependence is also discussed here. We observe a polarity dependent DCIV peak shift. The bias temperature stress induced interface trapped charge and oxide trapped charge shifts are also systematically investigated in this work.
One of the most important performances of NAND flash memory is reliability characteristics, such as program/erase cycling and data retention. Tunnel oxide quality is essential to the reliability and it is well known that tunnel oxide degradation during FN (Fowler-Nordheim) stress is due to the oxide trap and interface trap generation. It is believed that trapping mainly occurs where tunnel oxide is...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.