Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Through silicon vias are key components in 2.5D and 3D microelectronic packaging. Deep silicon etching is the critical step in fabrications of TSVs. Uniform metal-assisted chemical etching (MaCE) has been considered as a promising method to the conventional deep reaction ion etching for deep silicon etching. In this paper, we demonstrated that the uniform MaCE method is capable of fabricating vertical...
"2.5D silicon interposers" and "Hetero 3D stacked" technology for high-performance LSI are gathering the most attention from now on. These technologies can solve interconnection problems using TSV (Through Silicon Via) to electrically connect stacked each function devises. 2.5D and hetero-3D Si integration has great advantages over conventional 2D devices such as high packaging...
Three-dimensional (3D) integration of MEMS and ICs enables improvements in device performance, and often requires through-silicon vias (TSVs). TSV technologies presently available for micro electromechanical systems (MEMS) either have completely filled vias or hollow vias. Hollow vias imply perforated wafers, and limit further processing options. We have investigated dry film resist which enables...
In recent years, "2.5D silicon interposers" and "Full 3D stacked" technology for high-performance LSI has attracted much attention since this technology can solve interconnection problems using TSV (Through Silicon Via) to electrically connect stacked LSI. 2.5D and 3D Si integration has great advantages over conventional 2D devices such as high packaging density, small wire length,...
This study investigates a new fluorocarbon (FC) as an environmentally friendly gas chemistry for sidewall passivation during time-multiplexed plasma etch processes for through-silicon vias (TSVs). The effect of plasma processing conditions on TSV etch rate, etch selectivity, and sidewall roughness was examined. In addition, blanket fluorocarbon films were deposited, etched, and characterized with...
We discuss aspects of low temperature processing relating to the formation of through-silicon vias [TSV] for 3D-IC applications. An optimized deep silicon etch process produces 10:1 aspect ratio vias with scallop size less than 50 nm and with minimal bow and sidewall roughness. Emphasis is given to a low temperature [ges150degC] PECVD dielectric liner deposition process which produces stable, low...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.