Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, the influence of the gate leakage current on the noise performance of MESFETs and MODFETs is investigated. The theoretical results are discussed and it is shown that the noise performance of FETs is strongly dependent on the gate leakage current value, especially at a few GHz.
First results on low-frequency noise (250 Hz-100 kHz) and microwave noise parameters (4 GHz-20 GHz) observed in a microwave Si/SiGe heterojunction bipolar transistors (1 ??m ?? 20 ??m) featuring current gain cut-off frequency of 90 GHz and a maximum oscillation frequency of 30 GHz are reported and discussed. All measurements have been performed on wafer using dedicated techniques.
In this work the hot carrier effects in polycrystallinethin-film transistors, mainly related to hot-holes, are analysed by using a two-dimensional device analysis program. The experimental results have been interpreted in terms of formation of trap centers in the gate oxide and interface states. Furthermore, the theoretical analysis of alternate stresses allowed the determination of the extension...
This paper describes a methodology by which accurate MOSFET model parameter sets, covering statistical IC manufacturing fluctuations, can be generated. This procedure employs multivariate statistics to convert correlated device model parameters into a much smaller set of independent manufacturing process-related factors. Worst-case model parameter sets are constructed from the derived factors. Comparisons...
This paper describes a 1 ??m BiCMOS process which offers numerous high performance, high precision devices suitable for mixed signal designs. The key features of the process are the performance and modularity of the process and the optimization of the bipolar transistor for analog applications.
The behavior of several innovative submicrometer Si/SiGe FET variants is characterized using 2D numerical simulation. The behavior that is investigated includes transconductance, cutoff frequency, subthreshold and breakdown characteristics. The benefits of graded Ge doping in the channel is clearly demonstrated. MOS gated devices are predicted to have transconductances and cutoff frequencies about...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.