Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we discuss the potential of realizing future applications with much increased output power capability utilizing the newly developed bi-mode insulated gate transistor (BIGT). The BIGT represents an advanced reverse conducting (RC) IGBT concept implying that the device can operate in both freewheeling diode mode and (IGBT) transistor mode by utilizing the same available silicon volume...
In this paper we demonstrate a fully functional high voltage and high current IGBT module rated at 3300 V consisting solely of reverse conducting (RC) IGBT chips. The RC- IGBTs were designed in accordance with the latest Enhanced Planar and Soft Punch Through technology while incorporating an integrated freewheeling diode in the same silicon volume. Future high power IGBT modules with RC-IGBT technology...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.