Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Short channel junctionless field-effect transistors (JL-FET) were fabricated on a silicon-on-insulator substrate. The channel dimensions were scaled to 20 nm in length and 4 nm in thickness, using anisotropic wet etching of SOI layer. Highly doped channels were formed by diffusion of dopants from the source and drain region at a high temperature annealing. N-type and p-type JL-FETs show drain current...
Electrical performances of ultra-short channel MOSFETs were investigated on SOI substrates. The channel length was scaled to 3 nm using the anisotropic wet etching technique. A difficulty of junction technology was solved by fabrication of Junctionless-FET, which consists of uniform high concentration dopants through the body of device. Superior Junctionless-FET performance was confirmed when the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.