Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
X-ray photoelectron spectroscopy analysis was performed in order to investigate the effect of an oxygen (O2) plasma postoxidation process on the Al2O3 / GaSb interface. We studied the effect of passivation using diluted ammonia NH4OH and ammonium sulfide (NH4)2S solutions. After passivation, we noticed creation of oxygen or sulfur bonding to Ga and Sb on GaSb surface. Then, a reduction of interface...
This study characterizes the SiO2 etching by two gases C2F6 and CF4, in an experimental high-density reactor. The effect of some experimental parameter variations on the etching rate and F and CF2 radical concentration, has been studied and correlated to the self-induced voltage and the substrate temperature.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.