Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We demonstrate experimentally the improvement of the external quantum efficiency (EQE) and current-matching of the triple-junction GaAs-based solar cell using periodic-patterns incorporated with random nano-sized indium-nanoparticles plasmonics. The average EQE decreased of −9.8% in top-cell and increased of +2.4% in middle-cell were obtained as the solar cell with periodic-patterns random nano-size...
We report the increasing in average external quantum-efficiency (EQE) of 11% on the top-cell of GaAs-based triple-junction solar-cell due to current matching using a graded-index SiO2-nano-pillars sub-wavelength/SiO2/TiO2 AR-coating by CF4-RIE etching with Ag-nanoparticles mask.
Si nanowires (SiNWs) are promising materials for future electronic, photovoltaic, and sensor applications. To date the SiNWs are mainly formed on particular substrates or at high temperatures, greatly limiting their application flexibility. Here we report a low temperature process for forming and massively transferring vertically aligned SiNWs on alien substrates. Metal-assisted etching method was...
Large-area GaAs nanowires are fabricated by using SiO2 nanoparticles as a mask. SiO2 nanoparticle monolayer is spin-coated on the GaAs substrate and GaAs nanowires are etched by induced-coupled plasma reactive ion etcher.
We report the visible light emission of organic-inorganic light emitting devices by low-cost spin-coating. Different nanoparticles, CdSe, ZnO and Eu2O3, are employed to form organic-inorganic hybrid composites and generate the R-G-B and white light emission, while N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) and polymethyl methacrylate (PMMA) are adopted as the organic matrices...
We report electroluminescence from ZnO nanoparticle-based devices prepared by the spin-coating process. The TPD enhances electrons and holes to recombine in the ZnO nanoparticles. The optimal device exhibits a narrow spectrum at 392 nm.
A new way for light emission at 1530 nm is explored using mixtures of Er2O3, P2O5, Yb2 O3 nanoparticles and spin-on glass deposited on silicon wafers. This layer is very thin, but exhibits optical gain
We explore a new way for light emission around 1500 nm. The light-emitting layer composed of Er2O3 nanoparticles and spin-on glass is deposited on silicon wafers. We can improve the efficiency by codoping Yb2O3 nanoparticles
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.