Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper reports the latest technological advances made by the Industrial Technology Research Institute (ITRI) in flexible displays, especially the flexible substrate, thin-film transistor (TFT) backplane, and active matrix organic light-emitting diode display. Using the leading cholesteric liquid crystal technology of ITRI, we develop a rewritable, environmentally friendly thermal printable e-paper...
We present a new method for predicting the lifetime of highly stable amorphous-silicon thin-film transistors (a-Si TFTs) from accelerated tests at elevated temperatures. The rate of DC saturation current drop can be accelerated by a factor of ~104 when the test temperature is raised to 160°C. This ability is particularly significant for predicting the stability and lifetime of a-Si TFTs as analog...
While crystalline silicon FET's are the key enablers for the integrated circuit field, amorphous silicon thin film transistors are the key semiconductor of the large-area electronics field, also known as “macroelectronics.” This talk reviews the basic properties of amorphous silicon, and then outlines research trends, driven in large part by new applications. These trends include increased performance,...
We propose several kinds of materials which have different thermal conductivity be the thermal conduction layers between the buffer oxide and substrate of a-Si:H TFT device. The thermal conduction layers, such as Cu, Al, Mo and Si3N4, have significant improvement for thermal accumulation during operation. To understand the transient thermal profile and temperature distribution, we performed by solving...
In this paper a-Si:H TFTs with the external the mechanical strain and bending cycles is studied. In addition, the trap states distribution is also discussed. Besides, the temperature distribution of a-Si:H TFTs on plastic substrate is an important issue for operation. A thermal conduction layer dissipates the accumulated heat during operation is designed and it calculates the temperature distribution...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.