Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An efficient approach is presented and demonstrated which enables the simultaneous simulation of the impact of several sources of process variations, ranging from equipment-induced to stochastic ones, which are caused by the granularity of matter. Own software is combined with third-party tools to establish a hierarchical simulation sequence from equipment to circuit level. Correlations which occur...
A simulation study of lithography induced layout variations in 6-T SRAM cells is presented. Lithography simulations of a complete 6-T SRAM cell layout, including active n+/p+ regions layer and poly-gate layer were performed. The smallest feature size was assumed to be 45 nm. 76 positions of the projector focus were simulated for each layer in total. TCAD simulations of 32nm single gate FD SOI MOSFETs...
We demonstrate the coupling of plasma reactor equipment simulation and feature-scale profile simulation for dry etching of silicon in a chlorine plasma. Equipment simulation delivers fluxes of ions and neutrals, as well as the angular characteristics of the ions. These quantities are fed into a feature-scale simulator based on a Monte Carlo approach for determining relevant quantities on the feature...
Source and relevance of process variations are briefly discussed. A combination of own lithography and commercial TCAD simulation software is applied to assess the impact of some of the most relevant variations occurring in lithography on the electrical properties of three kinds of CMOS devices with 32 nm physical gate length.
In this paper, a TCAD-based simulation study on lithography process-induced gate length variations has been performed. This study aims at evaluating fully depleted silicon on insulator (FD SOI) MOSFETs for next generation CMOS devices. Critical dimensions (CDs) have been obtained using rigorous lithography simulations. The impact of the resulting gate length variations on the electrical behavior of...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.