Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A study of the substrate current was presented for a PD-SOI MOSFET under forward substrate bias. The substrate current is almost independent of the gate voltage and is dominated by the SSJ diffusion current for a bias above ~0.6V. BSIMSOI agrees only qualitatively with SENTAURUS simulations, and the model for the SSJ diffusion current must be reviewed in order to quantify accurately the substrate...
In this paper, the SCE models were reviewed, and we found that an improved definition of phis, which considers the effect of the mobile charge injected in the depletion region, must be used. As a result, we eliminated the discrepancy between the BSIMSOI model and PISCES simulations for short channel DTMOS.
The threshold voltage is a fundamental parameter necessary to predict the correct behavior of circuits based on Dynamic Threshold MOSFETs. In this work, we analyzed the short channel effects on this parameter. PISCES simulations of short and long channel MOSFET's based on a 0.2 mum PD-SOI technology were used to investigate the validity of the BSIMSOI model under substrate forward bias. The simulation...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.