Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Utilizing 80nm polysilicon nanofilm as piezoresistors, a pressure sensor with high performance is developed. The complete fabrication process is described. The pressure properties of the sensor were measured at the temperature from 0 to 200°C. For 0.6MPa full scale pressure, the sensitivity is 23.00mV/V/MPa at 0°C and 18.27mV/V/MPa at 200°C, the temperature coefficient of sensitivity (TCS) is about...
The different thickness polysilicon films were prepared by low pressure chemical vapor deposition. The microstructures of samples were observed by X-ray diffraction, scanning electron microscope and transmission electron microscope. The piezoresistive properties of samples were tested. The experimental results show that under high doping concentration, the gauge factor of polysilicon nanofilms is...
From our previous investigations, polysilicon nano-films (PSNFs) shows large gauge factor (>30) and lower temperature coefficients of resistance and gauge factor at high doping concentration, comparing with the common polysilicon films. The films are suitable for high temperature piezoresistive sensors. In this paper, the PSNFs doped highly (2??1020 cm-3) were prepared by LPCVD at different deposition...
The influence of film structure on temperature characteristics of polysilicon nanofilms (PSNFs) was reported in this paper. Samples were deposited by LPCVD with different film thickness and deposition temperature. The microstructure of films was characterized by SEM, TEM and XRD. By measuring the resistivity and the gauge factor of samples at different temperatures, temperature coefficients of the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.