Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We propose a novel method of the measurement of Berry's phase free from the dynamical phase shift for partial cycles of rotating magnetic field in parameter space by using a time-domain atom interferometer. The experimental results are presented and discussed
By investigating the growth-rate dependence of GaInNAs/GaAs MQW grown by MOCVD, high-performance narrow-ridge laser diodes operating at 1.3 /spl mu/m have been demonstrated with a low threshold current of 25 mA, a high characteristic temperature of 180 K, and a long lifetime of 10000 hours under 1 mW CW operation at room temperature.
A separated-double-heterostructure (SDH) laser on a p-type substrate with a pnp current blocking layer was fabricated using single-step MOCVD. A threshold current of 4.5 mA was obtained at room temperature under CW operation, and the linearity of the light output power/current curve was improved in comparison with that of an SDH laser on an n-type GaAs substrate.<<ETX>>
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.