Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Tunnel oxide degradation in TANOS devices and its origins were investigated in terms of program, erase, and endurance device operation modes. It was found that the erase operation may cause significant tunnel oxide degradation, while the degradation due to program operation is negligible. In the erase and endurance modes, tunnel oxide degradation is primarily controlled by the process of electron...
A quantitative study on the endurance of an embedded Flash memory with 2T-FNFN device architecture in a 0.13-mum technology node has been presented in this paper. Physical insights of 2T-FNFN device degradation have been obtained through stressing and characterizing large parallel arrays of flash transistors (with floating gate connected). Experiments are carried out on large random accessible arrays...
The reliability issues, including 100k cycle's endurance and 2 hours high temperature storage (HTS: 150degC, 200degC and 250degC) of sub-90nm NAND flash cells, are studied. Furthermore, the trap generation models in endurance and interface trap recovery model in HTS are proposed. Endurance characteristics show that the interface trap and bulk trap generation have a power-dependence on program/erase...
Reliability and performance of both NAND and NOR flash memories strongly depend on the physics of Fowler Nordheim (FN) tunneling, a mechanism widely used in writing operations. In fact, the large number of involved cells and the strong sensitivity to technological parameter variations cause wide threshold voltage distributions after FN tunneling. Overerase, erratic phenomena and tunnel oxide degradation...
Using poly-Si gate MOS capacitors, the tunnel oxide degradation due to high electric field stress is shown to be accelerated by the oxidation of the Si/sub 3/N/sub 4/ film in inter-poly ONO films and by high-temperature annealing. Microscopic Raman spectroscopy confirms that increased tensile stress in poly-Si gates leads to tunnel oxide degradation, Therefore, using CVD-SiO/sub 2/ film as the top...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.