Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, a simple and accurate analytical model for current-voltage and Transconductance characteristics of AlmGa1-m/GaN modulation doped field effect transistors (MODFETs) devices is presented. In proposed model, the effects of spontaneous and piezoelectric polarization at the hetero-interface and gate-voltage dependence of the Fermi level are considered. Variation of drain current after saturation,...
A threshold-voltage-based 2-D analytical model for the current-voltage characteristics of the AlGaN/GaN modulation-doped field-effect transistors (MODFETs) is presented. In this paper, the conventional charge-control model is improved by employing the Robin boundary condition when solving the 1-D Schrodinger equation in the low longitudinal-field region and introducing an adjustable eigenvalue during...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.