Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper descibes variety of methods to examine the electrical and physical characteristics of the isolation layer deposited on TSV(Through-Si-Via). A sample was manufactured for the experiment with a diameter of 10 mum and a depth of 50 mum using deep-RIE (reactive ion etching). SiO2 thin-film was deposited on the TSV sample by two separate procedures: PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition)...
This work presents the influence of post-annealing on mechanical and electrical properties of boron-doped hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films deposited on Corning 7059 glass and Si substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique. The basic mechanical properties of the films are measured by means of nanoindentation system. Using a four point resistivity...
In the continuing thrust to extend Moorepsilas law, silicon is beginning to confront several issues that require innovative materials solutions to increase transistor and interconnect speeds while dealing with the increasing thermal loads of advanced microprocessors. The unsurpassed thermal, electrical and mechanical properties of diamond can be used to solve some of the thermal issues and enhance...
The mechanical and electrical properties of polycrystalline solids, such as metals, ceramics, and photovoltaic-grade multicrystalline silicon (mc-Si), are strongly regulated by the interactions between impurities and grain boundaries. In this broader context, we combine synchrotron-based X-ray fluorescence microscopy (mu-XRF), SEM-based electron back-scatter diffraction (EBSD), and conventional techniques...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.