Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper brings a comparison of the traps identified in triple-gate FinFETS and Gate-All-Around (GAA) nanowire (NW) MOSFETs built with the same technological process. Traps have been identified using low frequency noise (LFN) spectroscopy, giving information on which process steps may be improved in order to build better devices.
GaN-based nanoribbons (NRs) represent important structures because of their unique transport properties. They have high breakdown voltage and can be scaled down to nanosizes. We studied the transport and noise properties of NRs in a wide temperature range applying different external treatments: ultraviolet (UV) excitation and high voltage bias. Characteristic features in the form of bumps were revealed...
Junctionless p+-p-p+ silicon nanowire (NW) field-effect transistors with various geometries were fabricated. Noise measurements were performed for the samples with different widths and in different operation modes. Results demonstrate significant changes in noise and Hooge parameter when the NW geometry is changed. The dependences obtained can be explained by considering the different impacts of the...
Samples containing tunable cross-section gold nanojunctions were fabricated using advanced cleanroom technology. Low-frequency noise spectroscopy was applied to study peculiarities of the noise behavior of bare samples and those modified by organic molecules at low-voltage biases. Normalized noise power spectral density SI/I2 dependencies on the junction resistance (R) were analyzed. Before the break...
We applied the noise spectroscopy technique as a powerful tool for the investigation of nano-sized bio-objects. The electrical and noise properties of the fabricated liquid-gated Si nanowire field-effect transistors as well as the influence of biomolecule attachment events on the nanowire structure were studied. We revealed that the dimensionless Hooge parameter can be used as a figure of merit for...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.