Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A quantitative analysis of the effects causing the maximum cutoff frequency reduction as horizontal device dimensions are downscaled is carried out. Simple analytical expressions describing the geometry dependence of the maximum cutoff frequency fT and forward transit time are derived, and verified with numerical simulations. These expressions suggest a simple method to extract the values of the maximum...
Permeable base transistors (PBT) with metal gates and pn-junction gates have been fabricated with conventional device technology. Measurement results compared with simulations are presented. Although the structures are not optimised, cutoff frequencies of 5.3 GHz for the PBT's with pn-junctions are reached. The PBT's with Schottky gates reach 7 GHz, however, with a lower breakdown voltage. A simple...
The behavior of several innovative submicrometer Si/SiGe FET variants is characterized using 2D numerical simulation. The behavior that is investigated includes transconductance, cutoff frequency, subthreshold and breakdown characteristics. The benefits of graded Ge doping in the channel is clearly demonstrated. MOS gated devices are predicted to have transconductances and cutoff frequencies about...
We have studied the effect of technological parameters on the performances of an ultrashort Si-NMOS transistor, at room temperature, using 2D Monte Carlo simulation. Results obtained for a device with source-drain extensions are compared with experiments. Doping profiles of Gaussian form are assumed. The main physical phenomena involved in the device behaviour are described. Additionally, electrical...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.