Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
SiO 2 layers thermally grown on Si wafers were irradiated with swift heavy ions in the energy range of (20–710) MeV. Subsequent chemical etching in 4% HF for 6 min produced conical pores with diameters from ∼20 to ∼80 nm in the SiO 2 layers. We have calculated radii and lifetime of the molten regions in the SiO 2 layers and compared them with the pore diameters and diameter dispersions estimated from scanning electron microscopy and atomic force microscopy. It is shown that the existence of a molten region and its radius can serve as a valid criterion for track “etchability”. In the same etching conditions the etched track diameter and the etching velocity in the track region are proportional to the radius and the lifetime of the molten region.