Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
To achieve low power consumption for CMOS devices, the gate metals must have effective work function (EWF) aligned with the band edges of the channel material and have a small WF variation (WFV). The multilayer TiNi alloys have been successfully applied as the gate metals for HfO2/In0.53Ga0.47As MOS devices in this paper. The EWF of TiNi alloys was found to increase from 4.41 eV for as-deposited sample...
We demonstrate the Au-free GaN HEMT device with the Ti/Al/W Ohmic metal structure. Excellent surface roughness 4.88nm for Ti/Al/W Ohmic stucture was achieved after metallization. The DC characteristics is comparable with conventional HEMTs and the stress performance with high voltage is better than conventional HEMTs.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.