Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Silicon–germanium (SiGe) BiCMOS technology platform provides designers with a unique opportunity to have access to both Si–Si and SiGe–Si p-n junctions. By taking advantage of the coexistence of these two p-n junctions, this paper presents a new temperature compensation technique for SiGe reference circuits. The source of the appearance of curvature in the thermal characteristics of reference circuits...
Now an accurate metrology of Silicon-Germanium (SiGe) thickness and Ge concentration is becoming more and more important for beyond 40nm technology. Traditional solution is normally Transmission Electron Microscope (TEM) for thickness and Second Ion Mass Spectrometry (SIMS) for Ge concentration, which is suffering from sample destruction and makes inline monitoring impossible. On the contrary, optical...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.