Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A generic DG MOSFET analytic model with vertical electric field induced mobility degradation effects is proposed and verified in this paper. It is shown that the proposed model is valid for different operation modes including symmetric DG (sDG), asymmetric DG (aDG) and independent DG (iDG). Extensive two-dimensional (2-D) device simulation is performed to verify the proposed model.
ULTRA-SOI is a new generation of the channel-potential-based non-charge-sheet model for the dynamic depletion (DD) Silicon-On-Insulator (SOI) MOSFET, developed by TSRC group in EECS department of Peking University with many year efforts. The model is formulated with a fully physical derivation from the Poisson's equation to solve the potential along the vertical direction of the silicon film. The...
In this paper an analytic model for Ge/Si core/shell nanowire MOSFETs (NWFETs) is developed. First, the electrostatic potential and charge model are derived out from classical device physics. Then the drift-diffusion drain current model is obtained and verified by comparisons with the numerical simulation. The ballistic current model is obtained with the approximately described quantum-mechanical...
This paper presents a charge-based compact model for the arbitrary doped long-channel cylindrical surrounding-gate (SRG) MOSFETs. Starting from Poissonpsilas equation with fixed charge and inversion charge terms, an accurate equation of inversion charge is obtained with the full-depletion approximation. Substituting this inversion charge expression into Pao-Sahpsilas dual integral, a drain current...
A global continuous channel potential solution is proposed for the modeling of symmetric double-gate (DG) MOSFETs. To obtain the channel potential, from accumulation to inversion regions, 1-D Poissonpsilas equation in the silicon film of the DG MOSFETs is solved physically. The extensive comparisons between the calculated results and numerical simulations illustrate that the analytical solution is...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.