Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Variability impact of random dopant fluctuation in nanometer-scale silicon nanowire MOSFET is assessed via TCAD numerical simulations. We have simulated ensembles of 629 devices, which differ from each other due to the physical manifestation of the dopant variability in the channel location, including the detailed microscopic pattern of a discrete sphere dopant from drain to source. Based on our study,...
A 1-V solution-processed polymer vertical transistor with on/off current ratio higher than 2 ?? 104 is firstly demonstrated. The channel length is 200 nm. A new structure is used to perform reliable leakage control. Significant impacts of thin film morphology and metal doping effect on the leakage current of organic vertical transistors are firstly observed and recognized as two new leakage phenomena...
Optimal design for nanowire FETs beyond 22 nm technology node is presented using numerical 3D simulation and physical analysis. Our results suggest that design optimization associated with the wire diameter could achieve performance benefits in the nanowire FET technologies. Small wire diameter is not necessary for performance, though it favors device scaling.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.