Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this study, sintered Cu is shown to have superior reliability to that of sintered Ag, in a high-temperature thermal cycle test up to 200°C and superior power cycle durability at a maximum junction temperature of 175°C. A 1700 V low-stray-inductance dual module made with sintered Cu and a leading-edge side-gate HiGT (High-conductivity IGBT) is also shown to have high power density with low loss...
We present a new concept in insulated-gate bipolar transistor (IGBT) gate drivers with a blocking voltage up to 3.3kV that have a pulse transformer interface and a function for self-adjusting active gate control. The error-correcting decoder we proposed contributed to the reliability of signal transmission. Moreover, the method of gate control using differentiation of gate voltage could automatically...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.