Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In terms of defect generation and redistribution, the electrical forming process and filamentary conduction lead conventional RRAM cells to low yield, high operation current, and large operation variations [1-3]. Recently, emerging RRAM cells based on the redox reaction mechanism were proposed to eliminate electrical forming process [4]. However, the endurance was below few thousands cycles and device...
We investigated on the structural properties of Al 2 O 3 dielectrics grown on TiN metal substrates using an atomic layer deposition technique with tri-methyl-aluminum and either O 3 or H 2 O as the precursor and oxidant, respectively. The structural and morphological features of these films were examined by atomic force microscopy, X-ray diffraction, and X-ray photoelectron...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.