Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We demonstrate dual-wavelength lasers operating with simultaneous emission for a range of difference-wavelengths by accessing the various in homogeneously broadened dot states. We investigate temperature tuning and quantify factors affecting mode stability, including temperature and difference-wavelength.
Intensity stability with respect to pumping level and temperature is examined in electrically injected dual-λ lasers with separations between 8 and 63 nm that utilise different quantum dot states or quantum dot and quantum well states.
A process for anisotropically etching AlGalnP/GaAs laser structures in a high-temperature (180degC), single-step BCl3/Cl2/Ar plasma process is demonstrated. The etch rate is shown to be stable over the duration of the etch due to its in- sensitivity to temperature. However, this etch process is unsuitable for etching high-aspect-ratio features due to the strong aspect ratio dependence of the GaAs...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.