Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
As already shown in previous publications (e.g.), Silicon Carbide transistors offer a great potential for reducing system costs of Photovoltaic-inverters by increasing the efficiency and decreasing the size of the heat-sink and the inductive components. The following document shows how the knowledge gained hereby now is implemented in the development of a PV-inverter optimized for the use of Silicon...
This paper deals with the current trends in photovoltaics (PV) which are the use of new Silicon Carbide (SiC) transistors (sections II, III and IV) and the implementation of module integrated electronics (sections V and VI).
In this paper the implementation and the performance of 1200 V / 30 A / 65 mOmega normally-off SiC-JFETs in photovoltaic inverters (PV-inverters) is shown and compared with Si-IGBTs. The JFETs' low switching energy and on-resistance lead to an improvement of efficiency and a reduction of costs and weight of PV-inverters.
The new MOSFET-generation with SiC-materials seems well suited for power electronics converters up to 1200 V operating-voltage, and particularly for grid-feeding solar-inverters. Their high switching speed and low on-resistance RDS(on) allow the use of higher switching frequencies, which could mainly reduce the costs and weight of the converters. This paper shows a comparison between IGBT and SiC...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.