Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Two of the most important questions concerning the future of interconnects are 1) how scalable is the damascene process to extremely narrow trenches and 2) what is the resistivity of Cu in these trenches? We attempt to answer both these questions through the generation of high aspect ratio, rectangular cross section trenches as narrow as 20 nm using a novel sacrificial Si FIN process flow. To fill...
Several technological and architectural solutions have been proposed to solve the "interconnect performance bottleneck", such as the use of on-chip transmission lines, carbon-nanotube (CNT) interconnects, wafer-level package (WLP) interconnects, 3D interconnects, RF and microwave interconnects and optical interconnects. It is essential to accurately estimate the interconnect performance...
This paper presents a phenomenological model to account for the channel boron redistribution in NMOS devices caused by implant damage during source drain processing. The model parameters are determined using device I-V characteristics for various channel and source drain implant conditions and can be used to extract effective 2D dopant profiles. The approach presented in this paper allows device simulation...
The fully overlapped nitride mask defined (FOND) MOSFETs1) exhibit a much better immunity with respect to hot carrier degradation compared to conventional LDD devices. The reason for the better reliability performance of these devices is the special shape of the LDD extentions formed by the FOND process. In order to simulate electrical properties and hot carrier degradation characteristics of FOND...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.