Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents the optimization work of 355 nm ultraviolet (UV) laser diode ablation process for CMOS 45 nm Copper (Cu) low-k semiconductor wafer. The micromachining parameters included laser power, laser frequency, feed speed, and defocus amount were optimized via design of experiment (DOE). Package reliability stressing tests were carried out as part of the efforts to validate the robustness...
High thermal conductivity die attach epoxy is commonly required for power packages to dissipate heat and maintain stable electrical performance. This is especially critical for packages with only passive cooling and require high power envelop. Such packaging is always needed in growing market application like LED, automotive MCU and digital networking chip. Current industry trend for high thermal...
Copper wire bond remains a challenge especially on bond pads with sensitive pad metallization. Extensive work and analysis are needed at the onset of the packaging development phase to meet the right level of manufacturability and reliability requirement. Wire bond related issue is not uncommon even after qualification and after years in high volume manufacturing. The process development gets even...
In the past, mechanical sawing of low-k devices always poise to be a big challenge to achieve good dicing quality. This is because of the weak mechanical properties of low-k dielectric material used. Moving forward, this challenge will be even greater with the introduction of ultra low-k dielectric material in 45nm and 32nm wafer node size. An alternative dicing process such as laser grooving is gaining...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.