Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Chemical shifts in Auger electron spectra versus Ar+ ion sputtering time were analysed for various passivated interfaces, including SiO2(100 nm)/Si, SiO2(40 nm)/4H-SiC structures and native oxide/austenitic stainless steel 316LVM. On this basis, in-depth profiles of chemical composition were determined and the thickness of passivation nanofilms was estimated. Quantitative numerical analysis was performed...
Zbadano rozkład zawartości pierwiastków w nanowarstwach pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera w funkcji czasu trawienia jonowego (Ar⁺): (i) na powierzchni stali nierdzewnej 316L (O i Cr) oraz (ii) w struklurze HfO₂/SiO₂/SiC zawierającej buforową nanowarstwę SiO₂(Hf i Si) Do analizy widm AES wykorzystano opracowaną procedurę numeryczną, która realizuje odejmowanie tła widma oraz...
AlGaN/GaN heterostructures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers were characterized electrically by capacitance-voltage measurements and chemically by Auger microscopy chemical in-depth profiling. The 2-dimensional electron gas density was estimated from C-V curves and the electronic quality of the bilayers was evaluated from C-V hysteresis. Detailed variations of Auger peaks, in particular...
The measurements of the resistance response to synthetic air of the SnO₂ thin film based sensor structures were carried out. The sensing SnO₂ films were deposited on alundum substrates in the rheotaxial growth and thermal oxidation (RGTO) process. The sensor responses were registered under dry and humid airflow during structure heating and cooling (within the temperature range from 20°C to 400°C)...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.