Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Optical amplifiers are demonstrated by direct bonding III–V gain layers to SOI waveguides which include 2-D and 3-D adiabatic tapers. The 3-D tapers have a low loss of 0.1 dB per mode conversion, the lowest demonstrated for coupling between SOI waveguides of this type. The 2-D tapers are used to control interaction with the III–V gain region. An integrated amplifier delivered 14 dB intrachip gain...
This paper reports on the successful demonstration of radio frequency (RF) components in support of an integrated wide band/high dynamic range X-band receiver in 180-nm fully-depleted (FD) SOI CMOS technology. The demonstrated microwave monolithic integrated circuit (MMIC) includes an X-band low noise amplifier (LNA), Marchand balun, balanced amplifiers, double balanced mixer, non-reflective filter,...
This paper describes a wide band/high dynamic range receiver implemented in a 0.18-μm fully-depleted silicon-on-insulator (FDSOI) CMOS technology. The system demonstration is a single conversion architecture with RF input at X-Band and IF output at S-Band. The receiver yielded 20–21.5 dB conversion gain, 5.6–6 dB noise figure, and 16.7 dBm OIP3 across a 600-MHz instantaneous bandwidth at S-Band operation.
This paper presents two fully integrated transmitters with embedded antennas to demonstrate on-wafer wireless testing for the first time. The proposed transmitters are intended to not only replace the I/O pins during manufacturing testing but also to serve as process monitoring circuits. The first RF transmitter, operating at 5.5 GHz, utilizes a current-reuse LC oscillator to minimize complexity and...
This paper presents the first 150 GHz amplifier in a digital 65 nm CMOS technology. Design techniques to preserve raw transistor gain near fmax include layout optimization, dummy-prefilled microstrip lines (MSL) for design-rule compliance, and matching topologies which minimize passive element losses. To the authors' knowledge, the measured 8.3 dB gain, 6.3 dBm saturated output power (Psat), 1.5 dBm...
We demonstrate using all-optical-gain-clamping to mitigate gain transients induced by channel add/drop in FOPAs. In a 4 channel system, we obtain error-free transmission for the surviving channel, compared to a BER=10-3 without gain-clamping.
Subvariable Control with Pseudo-Derivative-Feedback Algorithm (PDFSV) is proposed in industrial applications for its excellent robust input tracking and outstanding disturbance rejection properties. The determination of the PDFSV control coefficients is based on the nominal parameter of the simplified plant model that contains only a single term corresponding to the highest effective order in the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.