Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An inherent variable stiffness approach was proposed to suppress the rebound and impact of the electrostatic switch due to waveform deviations. A simple clamped-guided beam spring with large deflection, which generated inherent cubic nonlinear restoring force, was adopted for implementation of the approach. The initial stiffness is very small but increases significantly with the displacement. In this...
An RF electromagnetic (EM) characterization of high pulsed voltage electrode is investigated in the present paper. The electrode acts as an electric-or E-field pulse generator for atom probe tomography (APT) application. The proposed electrode device is essentially comprised of a microstrip transmission line (TL) combined with via hole. The challenging prediction of the electrode signal integrity...
The effects of fluorination on the vacuum surface flashover voltage (Uf) of polyimide (PI) are researched. The experimental results show that as the degree of fluorination increases, the Uf of PI firstly increases and then decreases, the highest Uf in the experiments is increased by up to 21 % compared with untreated PI sample. The results of Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR) and X-ray...
In-Ga-Zn oxide (IGZO) TFTs was fabricated by ink-jet printing technology on a silicon substrate with SiO2 on top. The device fabrication process includes printing ITO electrodes and IGZO semiconductor layer. A typical printed TFT shows a mobility of 0.32 cm2/V s and a contact resistance of ∼1 MΩ. Device performance was further improved by inserting an IZO layer between the source/drain electrode and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.