Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The origin of abrupt turn-on characteristics observed in an independent double-gate NW transistor at cryogenic ambient is studied in this paper. It is found that the occurrence of this behavior is greatly influenced by L, T, and drain bias. A model taking into account the dopant distribution of an implanted gate is proposed to interpret our findings. It suggests that the non-intentionally formed barriers...
Trap-layer-engineered poly-Si nanowire silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) devices with a gate-all-around (GAA) configuration were fabricated and characterized. For the first time, a clever method has been developed to flexibly incorporate Si-nanocrystal (NC) dots in different locations in the nitride layer. Three types of poly-Si GAA SONOS devices with Si-NC dots embedded in the block oxide/nitride...
Charge-trapping SONOS devices featuring nanowire (NW) and independent double-gated (IDG) structure are fabricated and characterized. The mechanism leading to DG output current performance enhancement is investigated. Taking advantage of the separated-gated property, the back-gate bias effect is used to probe its impacts on programming efficiency. It is also discovered that reduced NW thickness leads...
A simple method for fabricating poly-Si nanowire (NW) TFT with multiple gates is proposed and characterized. In this structure, NW is formed mainly using both anisotropic and highly selective isotropic plasma etching. It is found that when the size of NW is scaled down, double-gated operation provides more improvement. Furthermore, by utilizing this unique independent double-gated configuration, the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.