Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In PVD (Physical Vapor Deposition) process, this study mainly exhibits an innovatively designing approach of thin film micro-control which the Dummy Plate of Step type and the proportional of step structure (h/d) were optimized to attain reasonable Guard band. The optimized approach can effectively reduce the film deposition to avoid shell-like defect and significantly improve the effect of the crystal...
Cobalt silicide has been used in ULSI process from 180nm to 90nm node and beyond. As a conventional self-aligned silicide process procedure [1], cobalt is firstly deposited on cleaned silicon surface, then annealed (450∼600° C) to produce Co2Si or CoSi with resistivity around 100∼150Ω cm. A Hydrochloric and Hydrogen Peroxide Mixture (HPM) was used to strip the unreacted cobalt film from dielectric...
Ion implantation is a widely used technology in current ULSI process. Spot beam and parallel ribbon beam are the most commonly used as ion beam in batch wafer type or single wafer type ion implanter. As spot beam batch type ion implanter has been used over recent decades, parallel ribbon beam single type ion implanter emerges excellent performance such as beam angle accuracy, defects, contamination,...
The mainstream in DDR DRAM packaging is the face down substrate-on-chip (SOC) configuration using Printable Die Attach Adhesives (PDAA). PDDA have been developed that deliver the performance of a film with the low cost of a paste. PDDA are stenciled onto the substrate and the subsequent processes included B-cure, die bonding, and C-cure will reduce the adhesives thickness by removing the solvent and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.