Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper describes a fast 128K × 8bit Pseudo Static RAM (PSRAM) using new circuit technologies, that is, a tunable delay design tactics, a current-mirror timer, and an optimized arbiter, all of which are applicable to general VLSI circuit design.
The hot-carrier problems are one of the most serious obstacles in making high-density, high-speed VLSI with sub micron geometry. Consequently, the MOSFET device level degradation under DC and AC stress has been investigated intensively in the past few years. However, little work has been carried out on the circuit level1. This paper deals with two new aspects of the circuit behaviors under AC hot-carrier...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.