Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A important challenge of tunneling field-effect transistors (TFETs) is to realize both low SS of sub-60 mV/dec. and high drain Ion/Ioff ratio at the same time [1, 2], which strongly demands the optimization of materials, structures and fabrication process. For this purpose, the choice of source/channel materials with the reduced (effective) band gap is important for increasing tunneling current with...
We have demonstrated the operation of high Ion/Ioff and low subthreshold slope planar-type InGaAs Tunnel FETs with Zn-diffused source junctions. It has been found that the solid-phase Zn diffusion can form steep-profile and defect-less p+/n source junctions because of the inherent nature of Zn diffusion into InGaAs, which has significantly improved the TFET performance. The present devices have exhibited...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.