Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper we enhance the published model of Abo-Elhadeed et al. based on an analytical model for undoped symmetric double gate MOSFETs introduced by Chenming Hu et al. Our proposed model includes the effects of the source/drain series resistances on the drain current and the effects of the gate tunneling current. The new model results were compared with a device simulator results to validate the...
This paper presents a novel design concept of a MEMS gyroscope comprising a sense mode with a staggered frequency response. Considering a two-degree of freedom sense-mode structure, the bandwidth is enhanced by more than 40%. A post-fabrication electrostatic tuning mechanism based on two tuning electrodes is proposed to achieve resonance frequency trimming. The concept is applied on the design and...
An analytical model is developed for the carrier density in MOSFET-like carbon nanotube field-effect transistors in terms of surface potential. This model is based on approximating the density of states with delta function in addition to a constant value. The model has a continuous derivative and contains two fitting parameters, which are determined by best fitting with numerical results. The fitting...
Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) is considered one of the promising new transistors because it can avoid most of traditional Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) limitations. This paper presents a simple and accurate numerical model of coaxial gate Single Wall CNTFET (SW-CNTFET). The main feature of this model is that it can be used for low and high voltage applications,...
In this paper, we propose a 2D numerical quantum simulator for silicon gate-all-around (GAA) nanowire transistors with cylindrical cross-section within the effective mass approximation. The Hamiltonian is expanded in the uncoupled mode space and the nonequilibrium Green's function (NEGF) formalism is adopted to calculate the electron density and current. An approximated isotropic effective mass is...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.