Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper we report results on PCM endurance failure characterization. We show that endurance failure is related to SET pulse features and we analyze and model SET operation to obtain a better understanding and improve endurance performance. Results give interesting insights on the crystallization process of GST material. SET obeys to a constant energy law. Fast SET pulses require high power;...
In this paper we present a study of Phase-Change non-volatile Memory (PCM) devices integrating carbon-doped GeTe as chalcogenide material. Carbon-doped GeTe, named GeTeC, remarkably lowers the RESET current and features very good data retention properties as well. In particular, GeTe PCM with 10% carbon inclusions (named GeTeC10%) yields about 30% of RESET current reduction with respect to pure GeTe...
This paper investigates material and electrical properties of a new chalcogenide alloy for Phase-Change Memories (PCM): Carbon-doped GeTe (named GeTeC). First, several physico-chemical, optical and electrical analyses have been performed on full-sheet chalcogenide depositions in order to understand the intrinsic GeTeC phase-change behavior, and to characterize structure and composition of amorphous...
Low-frequency noise in PCM devices is experimentally investigated providing a new physical model for the amorphous GST (Ge2Sb2Te5) material. Noise intensity is characterized and modelled as a function of bias, temperature and size. Findings from 1/f noise analysis are used to understand the drift mechanism of the amorphous state resistance.
We characterize SET operation in Phase Change Memories. A measurement procedure aiming to investigate resistance transition from amorphous to crystalline states is shown. Results give interesting insights on the crystallization process of GST material and a simple model is introduced. Crystallization process obeys to a constant energy law. Fast SET pulses require high power; slow SET pulses can be...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.