Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Tunnel FETs with vertical tunnel paths are fabricated and successfully modeled by the nonlocal band to band tunneling model. Although enhancement of ON currents are obtained by longer source gate overlap lengths, the increase of the ON current is less than proportional to the overlap lengths, because of non-uniformity of the band to band tunneling generation rates. The behavior of this type of tunnel...
Performance of a double-gate (DG) FinFET in the cryogenic environment is discussed based on measurements and simulation. It was found that the DG FinFET has an excellent immunity to the kink effect in the cryogenic environment. Our physics-based compact model reproduced the measured I–V characteristics. The successful demonstration of an opamp consisting of the DG FinFETs at 4.2 K is also presented.
Recently, minimizing the standby power is considered as a critical issue in high-density, mobile CMOS technology. One of the major sources of the leakage current in off-state of ultra-small MOSFET is gate-induced drain leakage (GIDL) which is mainly composed of inter-band and trap-assisted tunneling. By virtues of reduced intra-junction and punch-through leakage currents, threshold voltage controllability,...
A compact model (CM) for fin-type FETs (FinFETs) was successfully developed and applied to variability analysis of a fabricated state-of-the-art metal-gate (MG) FinFET. By combining the statistical measurements with the CM calibration, Vth variation was, for the first time, broken down into structure-based (silicon fin thickness and gate length) and material-based (gate work function) components...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.