Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We systematically studied short-channel mobility (μ) in SOI nanowire transistors (NW Tr.). The strain induced in the NW channel dominates short-L μ. μ of short-L <;110>; NW nFETs largely increases due to vertical compressive strain. We achieved further strain enhancement in NW channel by stress memorization technique (SMT). μ increase by SMT is much larger in NW Tr. than in planar Tr. In <;110>;...
We successfully reduced the parasitic resistance of nanowire transistors (NW Tr.) by raised S/D extensions with thin spacers (<;10nm). Id variations are suppressed by spacer thinning and parasitic capacitance increase is minimal. By adopting <;100> NW instead of <;110> NW, Ion = 1mA/μm for Ioff = 100nA/μm is achieved without stress techniques. Long-L mobility (μ) was systematically...
The relationships between velocity, v, and mobility, μ, are investigated to clarify the effectiveness of μ enhancement to increase v in short channel FETs with SiO2 as well as high-K gate dielectric. The v-μ relationships were extracted on the basis of accurate understanding of v-μ dependence of μ; vsub dependences of μ in high-K, high Nsub, and short-channel FETs were carefully studied and the deviations...
It is shown that sub-0.1 mum Si nanocrystal bulk MOSFET with thin SiN tunnel insulator is a very strong random noise source used in high-rate small-size random number generation circuit, which is required for cryptograph application in mobile network security. A fast random number generation rate of 0.12 MHz is demonstrated using Si nanocrystal MOSFET and a simple small circuit. It is suggested that...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.