Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work we present an investigation on the program, erase and retention properties of TaN/Al2O3/HfO2/SiO2/Si (TAHOS) nonvolatile (NV) memory cells fabricated on an advanced gate-all-around (GAA) architecture. The influence of several device parameters on the above characteristics is quantitatively assessed by numerical simulation, using an in-house developed simulation code suitable for both...
This letter, for the first time, presents a metal high-kappa -high-kappa-oxide silicon-type charge-trapping nonvolatile memory fabricated on an advanced gate-all-around nanowire architecture with a top-down process. The high-kappa materials are integrated with a high work-function TaN gate electrode. The fabricated Si nanowire TaN/ Al2O3/HfO2/SiO2/Si (TAHOS) memory can achieve a higher speed at a...
Silicon nanowire based discrete trapped charge-storage nonvolatile memory cell employing high-kappa dielectrics with metal gate is presented for the first time. The nanowire TAHOS (TaN/Al2O3/HfO2/SiO2/Si) memory fabricated using top-down method in nearly gate-all-around (GAA) architecture showed higher P/E speed than SONOS. In TAHOS, the erase speed is found almost equal to the program speed. The...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.