Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We predict the possibility of shot noise enhancement in defect-free Carbon Nanotube Field Effect Transistors, through a numerical investigation based on Monte Carlo simulations of randomly injected electrons from the reservoirs and the self-consistent solution of the Poisson and Schrodinger equations within the non-equilibrium Green's functions formalism. Such enhancement can be explained by a positive...
We discuss an intriguing set of transport and noise properties of graphene-based transistors that can be investigated in a direct way with atomistic modeling - Non-Equilibrium Green's Functions with a Tight-Binding Hamiltonian - and are not directly accessible with models based on a higher level of physical abstraction. We present an investigation of the achievable electron mobility in channels based...
We present a novel method for the evaluation of shot noise in quasi-1-D field-effect transistors, such as those based on carbon nanotubes and silicon nanowires. The method is derived by using a statistical approach within the second quantization formalism and allows the inclusion of both the effects of Pauli exclusion and Coulomb repulsion among charge carriers. This way, it extends the Landauer-Buttiker...
We propose a novel and general method to investigate shot noise in nanoscale devices by means of Monte Carlo simulations within the self-consistent 3D Poisson-NEGF framework, focusing our attention on Carbon Nanotube and Silicon Nanowire Field effect transistors. We will show that Pauli exclusion principle and Coulomb interactions play an important role in device electrical behavior. In particular,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.