Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
For the first time, we report a scalable technique to fabricate graphene transistors with self-aligned buried gates process. The high performance buried-gate graphene transistor has excellent field-effect mobility of 6,100cm2/V·s and 24,000 cm2/V·s before and after subtraction of contact resistance. To the best of our knowledge, this is the highest room temperature mobility for CVD graphene FETs reported...
Tunnel field-effect transistors (TFETs) can potentially achieve sub-60-mV/dec SS, but their performance strongly depends on the dopant profile at the tunneling junction. In this paper, very sharp (~.2 nm/dec) optimized tunneling-junction dopant profile for the silicon p-n-p-n TFET is demonstrated by molecular beam epitaxial growth. Devices are fabricated with a low-thermal-budget ( <; 620°C) vertical...
An integrated Ge-on-SOI photo-detector based on secondary photo-conductivity is proposed and demonstrated. A 1 mW beam at 1.55 mum creates charge separation in the Ge thereby changing the resistivity of the underlying Silicon by ~3%.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.