Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
FinFET technology has been chosen for extending CMOS scaling beyond 28nm node. It can improve short channel control through a fully depleted fin, reduce random dopant fluctuation, improve mobility, lower parasitic junction capacitance and improve area efficiency. The non-SAC (self-aligned contact) local interconnection is introduced for the device connection. As the pitch shrinkage beyond immersion...
Both shallow junction and HKMG have been integrated into the advanced logic process. This leads to the introduction of forming gas (4% H2 in N2/H2 mixture) to replace the traditional O2-based ashing process for the sake of material loss and metal oxidization in Lightly Doped Drain ash. In this work, we focused on the high volume H2 ashing not only from the point of view of physical performance but...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.