Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a TCAD based design technology co-optimization (DTCO) process for 14nm SOI FinFET based SRAM, which employs an enhanced variability-aware compact modeling approach that fully takes process and lithography simulations and their impact on 6T-SRAM layout into account. Realistic double patterned gates and fins and their impacts are taken into account in the development of the variability-aware...
We apply a three-dimensional (3D) physical simulator, coupling self-consistently stochastic kinetic Monte Carlo descriptions of ion and electron transport, to investigate switching in silicon-rich silica (SiOx) redox-based resistive random-access memory (RRAM) devices. We explain the intrinsic nature of resistance switching of the SiOx layer, and demonstrate the impact of self-heating effects and...
In this paper, we employ a newly-developed one-dimensional multi-subband Monte Carlo (1DMSMC) simulation module to study electron transport in nanowire structures. The 1DMSMC simulation module is integrated into the GSS TCAD simulator GARAND coupling a MC electron trajectory simulation with a 3D Poisson-2D Schrödinger solver, and accounting for the modified acoustic phonon, optical phonon, and surface...
In this paper, we present a simulation flow based on TCAD model calibration against experimental transistor measurement and doping profile reverse engineering. Further the physical astatistical variability simulations at TCAD level are also adjusted to match the statistical measurement. This is folloed up by oxide wear out reliability characterization and modelling. Finally statistical compact model...
This work present the last development of a statistical reliability aware simulation flow from transistors to circuits. A TCAD calibration methodology based on statistical measurement of a 60nm bulk MOSFET is presented. Statistical compact models of fresh and aged transistors are extracted form large ensembles of TCAD simulations results. Compact models representing intermediate stages of degradation,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.