Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Our systematic studies of P-implanted NiGe/Ge junctions revealed the definite threshold in the P concentration for alleviating FLP and negligible P diffusion during drive-in annealing. These findings enable us to design the NiGe/Ge junction characteristics by modifying the device structure and implantation condition. We also demonstrated metal S/D p- and n-MOSFET operations with sub-1-nm EOT using...
We have demonstrated effective electron Schottky barrier height (eSBH) reduction of NiGe/Ge contacts using phosphorus ion implantation after germanidation. The eSBH was drastically reduced from 0.62 eV to 0.09 eV under optimum implantation and subsequent annealing conditions. Moreover, systematic studies of NiGe/Ge contacts with various P ion profiles indicated the variation in the eSBH at NiGe/Ge...
Schottky source/drain Ge-based n-and p-MOSFETs with sub-1-nm EOT and significantly reduced parasitic resistance were demonstrated for the first time. This technology involves two key processes: thermally stable high-quality metal/high-k/Ge gate stack and self-aligned formation of Fermi level pinned and unpinned NiGe/Ge junctions. The P+ implantation into embedded NiGe S/D and subsequent low-temperature...
We systematically investigated Ge diffusion and chemical bonding states in metal/high-k/Ge gate stacks by synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SR-PES) to understand their impact on electrical properties. Although Hf germanide was found in both Ge 3s and Hf 4f spectra for HfO 2 /GeO x /Ge gate stacks formed by ultrathin metal Hf deposition and subsequent in situ low-pressure...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.